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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:TW140N120C,S1F

商品名稱:TW140N120C,S1F

數(shù)據(jù)手冊:TW140N120C,S1F.pdf

品牌:TOSHIBA

年份:23+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
TOSHIBA
型號
TW140N120C,S1F
封裝
TO-247-3
描述
通孔 N 通道 1200V 20A(Tc) 107W(Tc)TO-247

產(chǎn)品描述

TW140N120C,S1F(1200V)第三代(內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管)MOSFET器件有助于降低功耗和提高功率密度。這是由于碳化硅(SiC)技術(shù)使器件能夠提供更高的電壓、更快的開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。


應(yīng)用:

? 開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器


產(chǎn)品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):182 毫歐 @ 10A,18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):24 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+25V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):691 pF @ 800 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):107W(Tc)

工作溫度:175°C

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247

封裝/外殼:TO-247-3


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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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TOSHIBA

TOSHIBA

TOSHIBA(東芝),是日本最大的半導(dǎo)體制造商、第二大綜合電機(jī)制造商,隸屬于三井集團(tuán)。東芝原名東京芝浦電氣株式會社,1939年由株式會社芝浦制作所和東京電氣株式會社合并而成;從1875年開創(chuàng)至今,已經(jīng)走過了140年的漫長歷程。2018年,東芝將其筆記本電腦業(yè)務(wù)賣給了夏普。…

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