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TW107N65C,S1F N 通道 650V 20A 第三代碳化硅MOSFET器件

特性：

(1)第三代(內置SiC肖特基勢壘二極管)芯片設計

(2)二極管正向電壓低:VDSF = -1.35 V(類型)

(3)高電壓:VDSS = 650v

(4)漏源導通電阻低:RDS(ON) = 107 mΩ(類型)

(5)閾值電壓高，不易發(fā)生故障:Vth = 3.0 ~ 5.0 V(VDS = 10 V, ID = 1.2 mA)

(6)增強模式。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：145 毫歐 @ 10A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：21 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：600 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：76W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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