商品名稱:SCT3160KW7HRTL
數(shù)據(jù)手冊:SCT3160KW7HRTL.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-263-7L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SCT3160KW7HRTL 1200V, 17A, 7-引腳 SMD, 溝槽結(jié)構(gòu),碳化硅(SiC)汽車用MOSFET。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :17A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 208 毫歐 @ 5A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 42 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +22V,-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 398 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: TO-263-7L
封裝/外殼: TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號: SCT3160
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
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BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小…電話咨詢:86-755-83294757
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