商品名稱:SCT4062KW7TL
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCT4062KW7TL.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-263-7L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SCT4062KW7是一款1200V、40A的Nch SiC功率MOSFET。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-7
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:62 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 21 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.8 V
Qg-柵極電荷:64 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:93 W
通道模式:Enhancement
合規(guī):Done
配置:Single
下降時(shí)間:10 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:6.5 S
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:11 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別:MOSFETs
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns
典型接通延遲時(shí)間:4.4 ns
零件號(hào)別名:SCT4062KW7
應(yīng)用
太陽能逆變器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
感應(yīng)加熱
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET,非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等應(yīng)用。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來預(yù)計(jì)可降低約35%的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFE…電話咨詢:86-755-83294757
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