商品名稱:SCT3120ALHRC11
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCT3120ALHRC11.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
集成電路芯片SCT3120ALHRC11 N-通道650V 21A TO-247-3晶體管
產(chǎn)品屬性
封裝/外殼:TO-247-3
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個(gè)通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:650 V
Id - 連續(xù)漏極電流:21 A
Rds On - 漏極-源極電阻:120 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 4 V,+ 22 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2.7 V
Qg - 柵極電荷: 38 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率耗散: 103 W
通道模式: 增強(qiáng)型
配置: 單一
下降時(shí)間:14 ns
正向超導(dǎo) - 最小值:2.7 S
上升時(shí)間: 21 ns
晶體管類型: 1個(gè)N通道
典型的關(guān)斷延遲時(shí)間:23 ns
典型的開啟延遲時(shí)間:14 ns
單位重量: 6 g
產(chǎn)品介紹
SCT3120ALHRC11 N溝道功率MOSFET在降低封裝電阻的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高電流處理能力。SCT3120ALHRC11元件同時(shí)提供低導(dǎo)通電阻和柵極充電電容,最大限度地減少了能量損失。
特點(diǎn)
符合AEC-Q101的要求
低導(dǎo)通電阻
快速的開關(guān)速度
快速的反向恢復(fù)
易于并聯(lián)
驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
無(wú)鉛電鍍;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET,非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等應(yīng)用。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來(lái)預(yù)計(jì)可降低約35%的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFE…電話咨詢:86-755-83294757
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