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IXBH32N300是一款3000V  80A高壓反向導通 (BiMOSFET?) IGBT器件，它將MOSFET和IGBT的優(yōu)勢相結合。該器件的飽和電壓和內(nèi)置二極管的正向電壓降均具有正電壓溫度系數(shù)，因此非常適合用于并聯(lián)運行?！白杂伞眱?nèi)置體二極管用作保護二極管，為器件關斷期間的感性負載電流提供替代路徑，防止高Ldi/dt電壓瞬變對器件造成損壞。

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3000 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：280 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，32A

功率 - 最大值：400 W

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：142 nC

25°C 時 Td（開/關）值：-

測試條件：-

反向恢復時間 (trr)：1.5 μs

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商器件封裝：TO-247AD

基本產(chǎn)品編號：IXBH32

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