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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):NTBG080N120SC1

商品名稱:NTBG080N120SC1

數(shù)據(jù)手冊(cè):NTBG080N120SC1.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:D2PAK-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NTBG080N120SC1
封裝
D2PAK-7
描述
碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

產(chǎn)品描述

NTBG080N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET采用全新技術(shù),與硅器件相比,具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。


技術(shù)規(guī)格

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-7

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V

Qg-柵極電荷:56 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:179 W


NTBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)和RoHS指令。這些MOSFET非常適合用于升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、車載充電器 (OBC)、電機(jī)控制、工業(yè)電源和服務(wù)器電源。

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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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