商品名稱：NTMFD5C470NLT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NTMFD5C470NLT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-DFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
NTMFD5C470NLT1G 40V 雙N通道功率MOSFET集成有肖特基，采用DFN8 (SO8FL) 封裝。該N溝道功率MOSFET是內(nèi)置功率級的解決方案，可最大限度地減少電路板占用空間，最大限度地降低寄生電感并降低功耗。該款雙N通道功率MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、系統(tǒng)電壓軌以及負載點。
產(chǎn)品規(guī)格：
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta），36A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：11.5 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：590pF @ 25V
功率 - 最大值：3W（Ta），24W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）
基本產(chǎn)品編號：NTMFD5
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NFAP2060R4TT
介紹：NFAP2060R4TT是一款完全集成的逆變器功率級IPM模塊，由1個高壓驅(qū)動器、6個IGBT和1個熱敏電阻器組成，適用于驅(qū)動永磁同步 (PMSM) 電機、無刷直流 (BLDC) 電機和交流異步電機。產(chǎn)品：NFAP2060R4TT類型：IPM 模塊配置：三相反相器電流：20 A電壓：600 V電壓 - 隔離：2…
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概述：NFAP1560R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM，該模塊包括1個高壓驅(qū)動器、6個IGBT和1個熱敏電阻器，適用于驅(qū)動永磁同步 (PMSM) 電機、無刷直流 (BLDC) 電機和交流異步電機。產(chǎn)品：NFAP1560R4TT類型：IPM 模塊配置：三相反相器電流：15 A電壓：600 V電壓 - 隔離：…
NFAP1060R4TT
概述：NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM，由一個高壓驅(qū)動器、六個IGBT和一個熱敏電阻組成，適用于驅(qū)動永磁同步(PMSM)電機、無刷DC (BLDC)電機和交流異步電機。產(chǎn)品：NFAP1060R4TT類型：IPM 模塊配置：三相反相器電流：10 A電壓：600 V電壓 - 隔離：2000Vrms…電話咨詢：86-755-83294757
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