商品名稱:IPBE65R145CFD7AATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IPBE65R145CFD7AATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
D2PAK 7 引腳封裝中的 190mOhm IPBE65R145CFD7AATMA1 是汽車級認(rèn)證 650V CoolMOS? SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比,CoolMOS? CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度,同時增強(qiáng)了設(shè)計靈活性。結(jié)合使用英飛凌的 650 V CoolMOS? CFD7A 技術(shù)和 D2PAK 7 引腳封裝時,更出色的效率和熱性能將令客戶獲益匪淺。D2PAK 7 引腳(驅(qū)動器-源極引腳)中使用的開爾文源極概念克服了源極電感造成的限制,并提升了開關(guān)性能。 因此,系統(tǒng)級別(特別是高電流下)的優(yōu)點(diǎn)是降低了開關(guān)損耗和熱量。此外,漏極和源極/柵極之間的爬電距離增加 4.2mm,有助于在高達(dá) 475V 的蓄電池電壓等級下使用器件。
主要特性
電池電壓高達(dá)475V,且不影響可靠性
硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男侍岣?(~0.1%-~0.4%)
采用開爾文源極概念,進(jìn)一步提高效率
內(nèi)在快速體二極管,與CoolMOS? CFDA相比,Qrr降低了30%
主要優(yōu)勢
可靠性高,符合汽車使用壽命要求
支持高功率密度設(shè)計
可擴(kuò)展,設(shè)計用于PFC和直流-直流級
顆粒產(chǎn)品組合
應(yīng)用
車載充電器
HV-LV直流-直流轉(zhuǎn)換器
輔助電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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