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IMBG65R107M1HXTMA1是650V CoolSiC M1 SiC溝槽功率器件，SMD緊湊型封裝SiC MOSFET。

IMBG65R107M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型： N-溝道

技術(shù)： SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓（Vdss）： 650 V

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 24A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 141mOhm @ 8.9A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 2.6mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 15 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 496 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 110W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型： 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8, D2Pak (7引線+接片), TO-263CA

IMBG65R107M1HXTMA1的特點(diǎn)

效率提高

高性能、高可靠性和易于使用的獨(dú)特組合

易于使用和集成

適用于具有連續(xù)硬換向的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

更高的穩(wěn)健性和系統(tǒng)可靠性

集成電路芯片IMBG65R107M1HXTMA1 N溝道650V MOSFETs 晶體管

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。