商品名稱:CY15V102QSN-108SXI
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY15V102QSN-108SXI.pdf
品牌:Cypress
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
Excelon?-Ultra CY15V102QSN 采用了高級(jí)鐵電工藝的高性能 2 Mbit 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (即 F-RAM)與 RAM 相同,是執(zhí)行讀和寫(xiě)操作的易失性存儲(chǔ)器。它提供 151 年 的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間,并解決了由串行閃存和其他非易失性存儲(chǔ) 器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。
與串行閃存不同的是,CY15V102QSN 以總線速度執(zhí)行寫(xiě)操作。 并且不引起寫(xiě)操作的延遲。在每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?,?shù)據(jù) 立即被寫(xiě)入到存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。這時(shí),可以開(kāi)始執(zhí)行下一個(gè)總線周 期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。此外,與其他非易失性存儲(chǔ)器相比,該產(chǎn) 品提供了更多的擦寫(xiě)次數(shù)。 CY15V102QSN 能夠提供 1014 次的 讀 / 寫(xiě)周期,或支持比 EEPROM 多 1 億次的寫(xiě)周期。由于具有 這些特性,因此 CY15x104QSN 非常適用于需要頻繁或快速寫(xiě)操 作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。示例的范圍包括從數(shù)據(jù)收集(其中寫(xiě) 周期數(shù)量是非常重要的)到滿足工業(yè)級(jí)控制(其中串行 Flash 的 較長(zhǎng)寫(xiě)時(shí)間會(huì)使數(shù)據(jù)丟失)。
CY15V102QSN將 2 Mbit F-RAM 與高速度四線 SPI(QPI)SDR 和 DDR 接口相結(jié)合,從而增強(qiáng) F-RAM 技術(shù)的非易失性寫(xiě)入功 能。該器件包含一個(gè)只讀的器件 ID 和唯一 ID 特性,通過(guò)它們, SPI 總線主設(shè)備可以確定器件的制造商、產(chǎn)品容量、產(chǎn)品版本和 唯一 ID。該器件包含一個(gè)唯一只讀序列號(hào),可用來(lái)識(shí)別某個(gè)電路 板或系統(tǒng)。
該器件支持片上 ECC 邏輯,可以在每個(gè) 8 字節(jié)數(shù)據(jù)單元內(nèi)檢測(cè) 和糾正單比特錯(cuò)誤。該器件還包含在 8 字節(jié)數(shù)據(jù)單元中提供雙比 特錯(cuò)誤報(bào)告的擴(kuò)展功能。 CY15V102QSN還支持循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC),可用來(lái)校驗(yàn)存儲(chǔ)器陣列中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的完整性。
特性
2 Mbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)被邏輯組織為 256K × 8
提供了 100 萬(wàn)億次(1014)的讀 / 寫(xiě)周期,幾乎為無(wú)限次數(shù)的耐久性。
151 年數(shù)據(jù)保留時(shí)間 (見(jiàn)數(shù)據(jù)保留時(shí)間與耐久性 on page 74)
NoDelay? 寫(xiě)操作
高級(jí)高可靠性的鐵電工藝
單和多 I/O SPI
串行總線接口 SPI 協(xié)議
支持 SPI 模式 0 (0, 0)和模式 3 (1, 1),適用于所有SDR 模式轉(zhuǎn)換
支持 SPI 模式 0 (0, 0),適用于所有 DDR 模式轉(zhuǎn)換
擴(kuò)展型 I/O SPI 協(xié)議
雙線 SPI (DPI)協(xié)議
四線 SPI (QPI)協(xié)議
SPI 時(shí)鐘頻率
頻率高達(dá) 108MHz 的 SPI SDR
高達(dá) 54MHz 頻率的 SPI DDR
芯片內(nèi)執(zhí)行 (XIP)模式下的存儲(chǔ)器讀 / 寫(xiě)操作
寫(xiě)入保護(hù),數(shù)據(jù)安全性,數(shù)據(jù)完整性
使用寫(xiě)保護(hù) (WP)引腳提供硬件保護(hù)
軟件模塊保護(hù)
嵌入式 ECC 和 CRC 增強(qiáng)了數(shù)據(jù)完整性
檢測(cè)并糾正但比特錯(cuò)誤的 ECC。在發(fā)生雙比特錯(cuò)誤時(shí),它將不糾正錯(cuò)誤,但將通過(guò) ECC 狀態(tài)寄存器進(jìn)行錯(cuò)誤報(bào)告
CRC 將檢測(cè)原始數(shù)據(jù)的任意意外更改
擴(kuò)展的電子簽名
器件 ID 包含制造商 ID 和產(chǎn)品 ID
唯一 ID
用戶可編程序列號(hào)。
專用 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM
專用特殊扇區(qū)寫(xiě)和讀操作
內(nèi)容可以在最多 3 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)回流焊周期內(nèi)保持不變
高速度,低功耗
SPI SDR 頻率為 108 MHz 時(shí),有效電流為 10 mA(典型值)
QSPI SDR 頻率為 108 MHz 并且 QSPI DDR 頻率為 54 MHz時(shí),有效電流為 16 mA (典型值)
待機(jī)電流為 110 μA (典型值)
深度掉電模式電流為 0.80 μA (典型值)
休眠模式電流為 0.1 μA (典型值)
低電壓操作:CY15V102QSN: VDD = 1.71 V 到 1.89 V
工作溫度范圍:–40 °C 到 +85 °C
8 pin 小型塑封集成電路 (SOIC)封裝
符合有害物質(zhì)限制標(biāo)準(zhǔn) (RoHS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
Cypress公司是一家知名的電子芯片制造商,其中文名稱為——賽普拉斯。 賽普拉斯在紐約股票交易所上市,在數(shù)據(jù)通信、消費(fèi)類電子等廣泛領(lǐng)域均提供芯片解決方案。公司生產(chǎn)高性能IC產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)傳輸、遠(yuǎn)程通訊、PC和軍用系統(tǒng)。公司1982年成立,是一家國(guó)際化大公司。目前約有…
CY15V116QSN-108BKXQ
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器,其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了串行閃存和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。CY15…CY15B116QSN-108BKXQ
CY15B116QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。CY15V108QSN-108BKXQ
CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。CY15B116QI-20BKXC
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存儲(chǔ)器,采用了先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是一種非易失性存儲(chǔ)器,其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)…CY15B108QSN-108BKXQ
CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。與串行閃存不同,CY15x108QSN 以總線速度執(zhí)行寫(xiě)入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷螅瑪?shù)據(jù)立即寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列。無(wú)需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢,即可開(kāi)始下一個(gè)總線周期。此外,與其他非易失…CY15B102QM-50SWXI
CY15B102QM-50SWXI是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的低功耗 2-Mbit 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器,其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)…電話咨詢:86-755-83294757
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