商品名稱：N-通道功率MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-HDSOP-22
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IPDQ60T010S7是一款600 V CoolMOS S7T功率MOSFET。
英飛凌的高性能 CoolMOS? SJ MOSFET 技術(shù)可以輕松設(shè)計速度更快、品質(zhì)卓越的新型高功率產(chǎn)品。 S7 系列高壓超級結(jié) MOSFET將 22 mOhm 芯片內(nèi)置于創(chuàng)新的小型 TO 無引線 (TOLL) SMD 封裝中，為功率密度樹立了新的基準。
產(chǎn)品屬性：
技術(shù)：Si
安裝風格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PG-HDSOP-22
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：600 V
Id-連續(xù)漏極電流：174 A
Rds On-漏源導通電阻：10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V
Qg-柵極電荷：318 nC
工作溫度：- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散：694 W
通道模式：Enhancement
封裝：Reel
封裝：Cut Tape
商標：Infineon Technologies
配置：Single
下降時間：9 ns
產(chǎn)品類型：MOSFETs
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6：150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16型號：IPTC025N15NM6封裝：PG-HDSOP-16類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管概述：IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技
IPT025N15NM6
IPT025N15NM6：150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號：IPT025N15NM6封裝：PG-HSOF-8類型：功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），…電話咨詢：86-755-83294757
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