商品名稱:CYT2B94BACQ0AZSGST
品牌:Cypress
年份:23+
封裝:80LQFP
貨期:全新原裝
庫存數量:3000 件
CYT2B94BACQ0AZSGST Traveo? T2G MCU基于ARM? Cortex?-M0+/M4F 32位雙核,提供高性能、增強型人機界面、高安全性和高級網絡協(xié)議,專為電動化、車身控制模塊、網關和信息娛樂等廣泛的汽車應用量身定制。
該TRAVEO?T2G系列是在成功的TRAVEO?T1G系列的基礎上發(fā)展而來的。
該系列支持最新的車載網絡,優(yōu)化內存使用以提供更高性能,并內嵌專用硬件加密單元以提高車內數據安全性。
產品規(guī)格:
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+,ARM? Cortex?-M4F
內核規(guī)格:32 位雙核
速度:100MHz,160MHz
連接能力:CANbus,FIFO,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART
外設:掉電檢測/復位,加密 - AES,DMA,LVD,POR,PWM,SHA,TRNG,WDT
I/O 數:63
程序存儲容量:2.0625MB(2.0625M x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:128K x 8
RAM 大?。?56K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 5.5V
數據轉換器:A/D 52x12b SAR
振蕩器類型:外部,內部
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:80-LQFP
供應商器件封裝:80-LQFP(12x12)
型號
品牌
封裝
數量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(16x16)
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Cypress公司是一家知名的電子芯片制造商,其中文名稱為——賽普拉斯。 賽普拉斯在紐約股票交易所上市,在數據通信、消費類電子等廣泛領域均提供芯片解決方案。公司生產高性能IC產品,用于數據傳輸、遠程通訊、PC和軍用系統(tǒng)。公司1982年成立,是一家國際化大公司。目前約有…
CY15V116QSN-108BKXQ
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先進鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數據保留,同時消除了串行閃存和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。CY15…CY15B116QSN-108BKXQ
CY15B116QSN-108BKXQ是一款采用先進鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲器。CY15V108QSN-108BKXQ
CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先進鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲器。CY15B116QI-20BKXC
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存儲器,采用了先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是一種非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數據保留,同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統(tǒng)…CY15B108QSN-108BKXQ
CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先進鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲器。與串行閃存不同,CY15x108QSN 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸到器件后,數據立即寫入存儲器陣列。無需進行數據輪詢,即可開始下一個總線周期。此外,與其他非易失…CY15B102QM-50SWXI
CY15B102QM-50SWXI是一款采用先進鐵電工藝的低功耗 2-Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數據保留,同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問…電話咨詢:86-755-83294757
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