CY8C4149LDS-S583 是 32 位汽車 ARM Cortex-M0+ PSOC 4100S 微控制器集成電路。
CY8C4149LDS-S583 集帶有標準通信和定時外設的微控制器、支持 CAPSENSE? 且具有同類最佳性能的多感應轉換器塊、可編程通用連續(xù)時間和開關電容模擬塊以及可編程連接功能于一身。
CY8C4149LDS-S583 的特性
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
可產(chǎn)生 48 MHz 頻率的 PLL
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內部主振蕩器 (IMO)
40 kHz 內部低功耗振蕩器 (ILO)
GPIO 上的 LCD 段驅動功能
定時和脈寬調制
八個 16 位定時器/計數(shù)器/脈寬調制器(TCPWM)模塊
中心對齊、邊緣和偽隨機模式
基于比較器的觸發(fā)信號,用于電機驅動和其他高可靠性數(shù)字邏輯應用
正交解碼器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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