NSG65N15K-DQAFR是納芯微推出的系統(tǒng)級Power Stage產品,內部集成了半橋驅動器NSD2621和兩顆耐壓650V、導阻電阻150mΩ的GaN開關管,工作電流可達20A。NSG65N15K內部還集成了自舉二極管,并且內置可調死區(qū)時間、欠壓保護、過溫保護功能,有利于實現(xiàn) GaN應用的安全、可靠工作,并充分發(fā)揮其高頻、高速的特性優(yōu)勢。
特征:
- 內部集成650V的GaN開關管和半橋驅動器
- GaN導阻電阻150mΩ
- 無反向恢復損耗
- 內置LDO,使驅動電壓更穩(wěn)定可靠
- 高低邊獨立 UVLO 保護功能
- 內部可調死區(qū)時間
- 內置自舉二極管
- 工作環(huán)境溫度:-40°C ~ 125°C
- 封裝形式:QFN (9*9mm)
應用:
? 圖騰柱PFC、ACF和LLC等半橋或全橋拓撲
? 適配器高密電源
? 光伏、電機驅動及新能源領域
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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蘇州納芯微電子有限公司 (Suzhou Novosense Microelectronics Co., Ltd.)是高性能高可靠性模擬及混合信號芯片公司。 自2013年成立以來,公司聚焦傳感器、信號鏈、電源管理三大方向,提供豐富的半導體產品及解決方案,并被廣泛應用于汽車、工業(yè)、信息通訊及消費電子領域?!?/p>
NSD2621C-DQAGR
NSD2621C-DQAGR是一款專為GaN設計的高壓半橋驅動芯片。該芯片采用了NOVOSENSE的成熟電容隔離技術,高邊驅動可以支持-700V到+700V的共模電壓,150 V/ns的SW電壓變化斜率,同時具有低傳輸延時和低通道間延時的特性。兩通道均能提供2A/-4A的驅動能力。特性:- 高壓側電壓范圍…NSD2621A-DQAGR
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NSI6601MC-DSPR是一種單溝道隔離柵極驅動器,適用于驅動IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET的許多應用。提供單獨的輸出以分別控制上升和下降持續(xù)時間。它可以提供5A/5A的峰值源/匯電流,并提供米勒箝位以防止高di/dt下的誤導。最小150kV/μs共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)確保了系統(tǒng)的…電話咨詢:86-755-83294757
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