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NXH006P120M3F2PTHG:碳化硅(SiC)模塊 - EliteSiC,1200V,6 歐姆 SiC M3S MOSFET,PIM36 封裝
NXH006P120M3F2PTHG - 產品描述:
NXH006P120M3F2PTHG 是一個電源模塊,包含 6mohm / 1200V SiC MOSFET 半橋和一個帶 HPS DBC 的熱敏電阻。SiC MOSFET 開關采用 M3S 技術,由 15V-18V 柵極驅動。
NXH006P120M3F2PTHG - 特性:
6mohm / 1200V M3S SiC MOSFET 半橋
15V 至 18V 柵極驅動
HPS DBC
熱敏電阻
壓配引腳
預涂熱界面材料 (TIM)
NXH006P120M3F2PTHG - 應用:
不間斷電源
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電站
太陽能逆變器
NXH006P120M3F2PTHG - 示意圖:
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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概述:NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM,由一個高壓驅動器、六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機、無刷DC (BLDC)電機和交流異步電機。產品:NFAP1060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:10 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms…電話咨詢:86-755-83294757
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