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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:NVXK2VR80WDT2

商品名稱:碳化硅(SiC)模塊

品牌:ON

年份:24+

封裝:APM-32

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVXK2VR80WDT2
封裝
APM-32
描述
碳化硅(SiC)模塊 1200V 80mΩ 20A 三相橋式電源模塊

產(chǎn)品描述

NVXK2VR80WDT2是一款1200V 80mΩ 20A 三相橋式電源模塊,帶PFC溫度檢測,適用于車載充電器。


NVXK2VR80WDT2的規(guī)格:

配置:3-Phase Bridge

下降時間:9 ns

高度:5.8 mm

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

長度:44.2 mm

最大工作溫度:+ 175 C

最小工作溫度:- 55 C

安裝風(fēng)格:Through Hole

通道數(shù)量:6 Channel

封裝 / 箱體:APM-32

封裝:Tube

Pd-功率耗散:82 W

產(chǎn)品:SiC Power Modules

產(chǎn)品類型:MOSFET Modules

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:116 mOhms

上升時間:12 ns

系列:NVXK2VR80WDT2

工廠包裝數(shù)量:60

子類別:Discrete and Power Modules

技術(shù):SiC

晶體管極性:N-Channel

類型:Power Module

典型關(guān)閉延遲時間:21 ns

典型接通延遲時間:12 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V

寬度:29 mm


相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

NVXK2VR40WXT2

ON

APM-32

3000

碳化硅 (SiC) 模塊 - 1200V 三相橋式電源模塊

MD29HFC120N6HT

Starpower

N6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HET

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HEL

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HEF

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P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

MD29HTC120P6HE

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1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊

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1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊

MD22HTC120P6HEF

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊

MD22HTC120P6HE

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

ON

ON

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…

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