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產(chǎn)品分類

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商品型號:NTBG023N065M3S

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:ON

年份:24+

封裝:D2PAK-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NTBG023N065M3S
封裝
D2PAK-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L

產(chǎn)品描述

NTBG023N065M3S是一款650 V碳化硅MOSFET,采用表面貼裝型D2PAK-7L封裝。


說明:

650V M3S平面SiC MOSFET新系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)在負柵極電壓驅(qū)動下工作可靠,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列采用18V柵極驅(qū)動時性能最佳,但采用15V柵極驅(qū)動時也能正常工作。


NTBG023N065M3S的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:9.6 ns

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:D2PAK-7

封裝:Reel

Pd-功率耗散:263 W

產(chǎn)品:SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:69 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhms

上升時間:15 ns

系列:NTBG023N065M3S

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

晶體管極性:N-Channel

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:11 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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