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NTBG023N065M3S是一款650 V碳化硅MOSFET，采用表面貼裝型D2PAK-7L封裝。

說明：

650V M3S平面SiC MOSFET新系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。平面技術(shù)在負柵極電壓驅(qū)動下工作可靠，并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列采用18V柵極驅(qū)動時性能最佳，但采用15V柵極驅(qū)動時也能正常工作。

NTBG023N065M3S的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：9.6 ns

Id-連續(xù)漏極電流：40 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：D2PAK-7

封裝：Reel

Pd-功率耗散：263 W

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：69 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：33 mOhms

上升時間：15 ns

系列：NTBG023N065M3S

工廠包裝數(shù)量：800

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：35 ns

典型接通延遲時間：11 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

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