商品名稱:車規(guī)級(jí)MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-5
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IAUAN04S7N007是一款適用于汽車應(yīng)用的40V、0.72m? N 溝道MOSFET,具有極低的導(dǎo)通電阻、較低的開關(guān)損耗和增強(qiáng)的耐用性。
英飛凌OptiMOS? 7為未來(lái)的汽車應(yīng)用設(shè)定了新標(biāo)準(zhǔn),與具有最小尺寸的創(chuàng)新、堅(jiān)固的封裝相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)最高的功率效率、更低的開關(guān)損耗和更大的SOA。
IAUAN04S7N007(規(guī)格)
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:HSOF-5
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:330 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:720 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:72 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 175°C
Pd-功率耗散:149 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:OptiMOS
系列:OptiMOS 7
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時(shí)間:15 ns
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:7 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
子類別:MOSFETs
晶體管類型:OptiMOS Automotive Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
3000
100V, N-Ch, 最大值2.1 m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.82m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.57m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.51m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, 最大值0.39m?, 車規(guī)級(jí)MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS? 7
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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