商品名稱:磁性傳感器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TDSO-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
TLE49SRC8 - 帶 PWM/SENT/SPC 接口的雜散磁場(chǎng)穩(wěn)健角度傳感器 XENSIV? 磁位置傳感器
TLE49SRC8 - 產(chǎn)品描述:
TLE49SRC8 是一款基于霍爾技術(shù)的雜散場(chǎng)穩(wěn)健角度傳感器,用于測(cè)量 0° 至 360° 范圍內(nèi)的絕對(duì)角位置。傳感器提供數(shù)字輸出接口。集成電路 (IC) 上采用了空間隔離的霍爾單元和信號(hào)調(diào)理電路,從而實(shí)現(xiàn)了磁場(chǎng)的雜散場(chǎng)穩(wěn)健測(cè)量。
TLE49SRC8 - 主要特點(diǎn):
固有雜散磁場(chǎng)魯棒性
基于差分霍爾的角度傳感器
360° 角度測(cè)量
角速度信息
PWM、SPC、SENT(基于 SAE J2716-2016)接口
SMD 封裝
最大 在使用壽命和溫度范圍內(nèi),+/-1° 固有角度誤差
高電壓和反極性能力
在輸出端以 14 位 360° 表示絕對(duì)角度值
用于存儲(chǔ)配置(如零角)和客戶特定 ID 的 EEPROM
ISO 26262 安全要素,滿足 ASIL C(D) 以下的安全要求
用于修正系統(tǒng)角度誤差(如磁路)的查找表
SPC 框架裝置
輸出引腳上的單線 SICI 編程接口
TLE49SRC8 - 潛在應(yīng)用:
底盤高度傳感器
踏板位置傳感器
節(jié)氣門位置傳感器
轉(zhuǎn)向角傳感器
雨刷位置傳感器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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