商品名稱:F-RAM
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY15B201QSN-108SXE - EXCELON? 1Mbit Automotive-E Quad SPI F-RAM 存儲器 IC
一、描述:
CY15B201QSN-108SXE 是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 1-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。CY15B201QSN 將 1-Mb F-RAM 與高速 Quad SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相結(jié)合,增強(qiáng)了 F-RAM 技術(shù)的非易失性寫入能力。該器件支持循環(huán)冗余檢查 (CRC) 功能,可用于檢查存儲器陣列中存儲數(shù)據(jù)的完整性。
二、主要功能:
1-Mbit 鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 128K × 8
- 先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
單輸入/輸出和多輸入/輸出串行外設(shè)接口 (SPI)
SPI 時鐘頻率
- 高達(dá) 108MHz 頻率 SPI 單數(shù)據(jù)速率 (SDR)
- 高達(dá) 54MHz 頻率的 SPI 雙數(shù)據(jù)速率 (DDR)
專用 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM
- 專用特殊扇區(qū)寫入和讀取
- 內(nèi)容可經(jīng)受長達(dá)三個標(biāo)準(zhǔn)回流焊周期的考驗(yàn)
低壓工作 - VDD = 1.8 V 至 3.6 V
汽車工作溫度:-40°C 至 +125°C
符合 AEC - Q100 1 級標(biāo)準(zhǔn)
8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 6.7 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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