商品名稱:PSRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S70KL1282DPBHA020 是具有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機(jī)無需管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來,DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲(chǔ)器,無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)器更準(zhǔn)確的描述是偽靜態(tài) RAM(PSRAM)。
特點(diǎn)
HYPERBUS 接口
支持 1.8V / 3.0V 接口
單端時(shí)鐘 - 11 個(gè)總線信號(hào)
可選差分時(shí)鐘 - 12 個(gè)總線信號(hào)
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通 (RWDS)
在所有事務(wù)開始時(shí)輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀取數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)屏蔽信號(hào)輸入
可選的 DDR 中心對齊讀取前導(dǎo)信號(hào) (DCARS)
最大時(shí)鐘頻率 200MHz
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400MB/s(3,200Mbps)
應(yīng)用
智能樓宇
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
WLCSP-49
2000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-WFBGA(4x4)
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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