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UF3C065080B3 是一款650 V, 80 mohm SiC FET分立式晶體管。該器件采用D2PAK-3L封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，配合推薦的RC緩沖器使用時(shí)，非常適合開關(guān)感性負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

規(guī)格

產(chǎn)品種類：MOSFET

技術(shù)：SiC

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：25 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：115 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標(biāo)名：SiC FET

系列：UF3C

封裝：MouseReel

配置：Single

下降時(shí)間：12 ns

上升時(shí)間：13 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns

典型接通延遲時(shí)間：25 ns

單位重量：2.163 g

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