商品名稱：碳化硅 (SiC) 二極管
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
E4D20120D -1200V、20A、分立碳化硅肖特基二極管，采用 TO-247-3 封裝
產(chǎn)品描述
E4D20120D 是 1200V E 系列汽車碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并式 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。Wolfspeed 將碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 搭配使用，可實現(xiàn)更高的效率和更低的元件價格。
主要特點
- 第四代碳化硅合并 PIN 肖特基技術(shù)
- 零反向恢復(fù)電流
- 高頻工作
- 開關(guān)行為與溫度無關(guān)
- 通過 AEC-Q101 認證并符合 PPAP 要求
- 抗潮濕
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…
C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)…
C2M0025120D
C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)…
C3M0016120K1
C3M0016120K1是設(shè)計符合工業(yè)標準的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有高速開關(guān)特性，電容低，阻斷電壓高，導(dǎo)通電阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列針對高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化，如UPS、電機控制和驅(qū)動、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓…電話咨詢：86-755-83294757
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