商品名稱：碳化硅 (SiC）二極管
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-247-2
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
E6D16065H是一款650 V, 16 A, 第6代分立碳化硅肖特基二極管，采用TO-247-2封裝。
Wolfspeed E6Dx系列650V碳化硅（SiC）肖特基二極管通過實現(xiàn)比硅基替代產(chǎn)品更高的效率來提高電力電子系統(tǒng)的性能。此外，這些產(chǎn)品還支持實現(xiàn)更高的工作頻率和功率密度。
規(guī)格
產(chǎn)品:：碳化硅肖特基二極管
安裝風格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-2
配置：Single
技術：SiC
If - 正向電流：51 A
Vrrm - 重復反向電壓：650 V
Vf - 正向電壓：1.3 V
Ifsm - 正向浪涌電流：123 A
Ir - 反向電流 ：5 uA
工作溫度范圍：- 55°C to + 175°C
Pd-功率耗散：130 W
Vr - 反向電壓 ：650 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…
C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關損耗以及超高的開關頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關鍵型高壓應用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)…
C2M0025120D
C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關損耗以及超高的開關頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關鍵型高壓應用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)…
C3M0016120K1
C3M0016120K1是設計符合工業(yè)標準的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有高速開關特性，電容低，阻斷電壓高，導通電阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列針對高功率應用進行了優(yōu)化，如UPS、電機控制和驅(qū)動、開關模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓…電話咨詢：86-755-83294757
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