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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:UJ4SC075018B7S

商品名稱:碳化硅 MOSFET

品牌:Qorvo

年份:24+

封裝:D2PAK-7L

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:9000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Qorvo
型號
UJ4SC075018B7S
封裝
D2PAK-7L
描述
SiC碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET) 采用D2PAK-7L封裝

產(chǎn)品描述

UJ4SC075018B7S是一款 750V、18mW G4 SiC FET。它采用獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,將常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、SiC MOSFET 或硅超結(jié)器件。該器件采用 D2 PAK-7L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。


規(guī)格

FET 類型: N 通道  

技術(shù): SiCFET(共源共柵 SiCJFET)  

漏源電壓(Vdss): 750 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 72A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 23 毫歐 @ 50A,12V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 6V @ 10mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 37.8 nC @ 15 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1414 pF @ 400 V  

功率耗散(最大值) :259W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝: D2PAK-7  

封裝/外殼: TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA  

 

典型應(yīng)用

車載充電器

軟開關(guān)DC-DC變換器

電池充電(直流快充和工業(yè))

IT/服務(wù)器電源

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描述

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

Qorvo

Qorvo

Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…

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