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這種先進(jìn)的平面條紋HEXFET ?功率MOSFET采用了最新的加工技術(shù)，實現(xiàn)了單位硅面積的極低導(dǎo)通電阻。這種HEXFET功率MOSFET的其他特點是結(jié)點工作溫度為175℃，RθJC低，開關(guān)速度快，重復(fù)雪崩等級提高。這種組合使該設(shè)計成為在各種應(yīng)用中使用的極其有效和可靠的選擇。

規(guī)格參數(shù)

ET 類型 N 通道   

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）   

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 106A（Tc）   

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 7 毫歐 @ 82A，10V   

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA   

Vgs（最大值） ±20V   

FET 功能 -   

功率耗散（最大值） 200W（Tc）   

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）   

安裝類型 表面貼裝型   

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK   

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB   

漏源電壓（Vdss） 75 V   

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 10 V   

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 5310 pF @ 25 V 

應(yīng)用領(lǐng)域

高效同步整流

開關(guān)電源

不間斷電源

高速電源開關(guān)

升硬開關(guān)和高頻電路

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