商品名稱:雷達傳感器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:119-WFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
BGT60TR13CE6327XUMA1 是一款封裝內(nèi)含天線的 60 GHz 雷達傳感器,可在小型封裝內(nèi)實現(xiàn)超寬帶 FMCW 操作。傳感器配置和數(shù)據(jù)采集通過數(shù)字接口實現(xiàn),集成的狀態(tài)機可實現(xiàn)獨立的數(shù)據(jù)采集,并通過電源模式優(yōu)化實現(xiàn)最低能耗。
特點
用于 FMCW 操作的 60 GHz 雷達傳感器
5.5 GHz 帶寬
封裝內(nèi)天線(6.5 x 5.0 x 0.9 mm3)
用于芯片配置和雷達數(shù)據(jù)采集的數(shù)字接口
優(yōu)化的功率模式,可實現(xiàn)低功耗運行
用于獨立運行的集成狀態(tài)機
應用
用于手勢感應的雷達前端
高分辨率 FMCW 雷達
短距離傳感操作
雷達罩后的隱藏式傳感應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應更低的開關(guān)損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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