商品名稱：RGS50TSX2DGC11
品牌：ROHM
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
RGS50TSX2DGC11場終止溝槽型IGBT是10μs SCSOA（短路安全工作區(qū)）保證絕緣柵極雙極晶體管，適合用于通用逆變器、UPS、PV逆變器和功率調(diào)節(jié)器應用。具有低導通損耗，有助于減小尺寸，提高效率。
特性
● 短路耐受時間：10μs
● 內(nèi)置FRD快速軟恢復二極管
● 集電極-發(fā)射極電壓 (VCES)：1200V
● 柵極-發(fā)射極電壓 (VGES)：±30V
● 集電極-發(fā)射極飽和電壓 (VCE(sat))：1.7V
● 柵極-發(fā)射極閾值電壓 (VGE(th))：7V
● 工作結溫范圍：-40°C至+175°C
● TO-247N封裝
● 無鉛，符合RoHS指令
應用
● 通用逆變器
● UPS
● 光伏逆變器
● 調(diào)功器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅動器。特性：Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小…
SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。該器件采用小型TO-263-7封裝，設計符合AEC-Q101標準。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流…
SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET，非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應用。與以往的3引腳封裝（TO-247N）相比，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技…
SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結構650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅動器源極引腳分離的4引腳封裝，能夠充分地發(fā)揮出高速開關性能。SCT3080ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅…
SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結構的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiCFE…電話咨詢：86-755-83294757
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