IXA4IF1200TC-TRL 是 1200V 9A 45W IGBT 晶體管，封裝為 TO-268-3。
產品屬性
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：9 A
Vce（on）（最大值）@ Vge，Ic：2.1V @ 15V，3A
功率 - 最大值：45 W
輸入類型：標準
柵極電荷：12 nC
工作溫度：-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-268-3，D3PAK（2 引線 + 連接片），TO-268AA
供應商器件封裝：TO-268AA
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產品： 功率 MOSFET 模塊 類型： 半橋模塊 半橋模塊 技術： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 最低工作溫度：- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量：8 克特點高速開關，低電容阻斷電壓高，RDS（導…
IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型： HiperFET HiperFET 技術： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 安裝方式：螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼：SOT-227-4 最低工作溫度：- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間：1…
IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT，器件采用專有的XPT?薄晶圓技術和最先進的IGBT工藝研發(fā)，具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數，這些高壓IGBT可用于并聯(lián)，相比串聯(lián)低電壓器件更加經濟高效。 因此，這可減少相關的柵…
IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT，器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT（打穿）生產。600V GenX3?針對高電流應用進行了優(yōu)化，這類應用需要高達200 kHz的軟開關頻率和40 kHz的硬開關頻率。 這些器件采用了我們久經考驗的打穿（PT）技術，該技術可提高浪涌電流性能、降低…
IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT，采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結構和新的制造工藝，BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇，因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數。功能與特色:“自由”本…
MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管，帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關- 穩(wěn)健設計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復二極管高性能動態(tài)快速恢復二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強了動態(tài)性能，適用于高頻操作產品屬性隔離電…電話咨詢：86-755-83294757
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