商品名稱：TH58NYG2S3HBAI4
品牌：KIOXIA
年份：24+
封裝：63-BGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
TH58NYG2S3HBAI4 SLC NAND 高級閃存為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供了最先進的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。
特點
SLC NAND 24nm
1Gb - 128Gb
擴展溫度范圍
TSOP 和 BGA 封裝
BENAND 24 納米
內(nèi)置 ECC SLC NAND
1Gb - 8Gb
片上 H/W ECC
與原始 SLC 相同的可靠性和性能
與原始 SLC 相同的硬件接口和封裝
24 納米技術(shù)可優(yōu)化成本
應(yīng)用領(lǐng)域
工業(yè)
消費電子產(chǎn)品
多媒體
智能電表和智能照明
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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（KIOXIA）鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存， 2017年4月，鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離，開創(chuàng)了先進的存儲解決方案和服務(wù)，可豐富人們的生活并擴大社會的視野。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技…
TH58NVG2S3HTAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù)，同時支持更小的電路板尺寸（移動設(shè)備等）。TH58NVG2S3HTAI0—FLASH - NAND（SLC） 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I類別： 存…
TH58NVG2S3HAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù)，同時支持更小的電路板尺寸（移動設(shè)備等）。TH58NVG2S3HAI0—FLASH - NAND（SLC） 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I類別： 存…
THGAMVT0T43BAIR
THGAMVT0T43BAIR廣泛的高性能 e-MMC 產(chǎn)品將閃存和 e-MMC控制器集成在一個 BGA 封裝中，可執(zhí)行糾錯、損耗均衡、邏輯到物理地址轉(zhuǎn)換和壞塊管理等功能。這些解決方案支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版標準的高速存儲器接口，無需主機直接控制閃存。產(chǎn)品屬性存儲器類型：非易失存儲器…
THGAMVG9T23BAIL
THGAMVG9T23BAIL NAND 閃存采用了比特列堆疊 (BiCS) FLASH? 3D 技術(shù)。這些閃存為需要以經(jīng)濟高效的方式存儲大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用提供了最佳解決方案。功能特點16GB 至 128GB 內(nèi)存BiCS 3D NAND 技術(shù)多層單元 (MLC) 技術(shù)符合最新的 JEDEC 5.1 版標準集成內(nèi)存管理：糾錯碼壞塊管理…
THGBMNG5D1LBAIT
4Gbit THGBMNG5D1LBAIT是一款先進、高效的e-MMC?托管型NAND閃存器件。具有集成控制器和增強型存儲管理。集成的存儲管理功能包括糾錯、損耗均衡和壞塊管理。該閃存非常適合用于工業(yè)、消費類電子產(chǎn)品、多媒體、智能計量和智能照明應(yīng)用。產(chǎn)品規(guī)格：產(chǎn)品種類：eMMC封裝/箱體…
THGBMJG6C1LBAU7
THGBMJG6C1LBAU7 8Gbit THGBM e-MMC?托管型NAND閃存是先進、高效的器件，具有集成控制器、增強型存儲管理。集成的存儲管理功能包括糾錯、損耗均衡和壞塊管理。該THGBM e-MMC閃存器件符合JEDEC 5.0 (4GB) 和5.1版標準，為具有更高數(shù)據(jù)速度和容量要求的應(yīng)用提供了理想的解…電話咨詢：86-755-83294757
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