STO67N60M6 MDmesh功率MOSFET是一款快速恢復體二極管，將極低恢復電荷 (Qrr) 和恢復時間 (trr) 與最有效的開關行為相結合。該功率MOSFET具有出色的開關性能、低柵極輸入電阻以及更低的單位面積RDS (on)，非常適合用于LLC轉換器和升壓PFC轉換器。
產品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：54 毫歐 @ 26A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：TOLL（HV）
封裝/外殼：8-PowerSFN
基本產品編號：STO67
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
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