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NVTFS5116PLWFTWG 是適用于緊湊和高效設(shè)計的汽車用功率 MOSFET，安裝在 3x3mm 扁平引線封裝中且具有較高的熱性能?？捎糜谠鰪姽鈱W(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選項。

規(guī)格

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：25 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1258 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），21W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）

封裝/外殼：8-PowerWDFN

基本產(chǎn)品編號：NVTFS5116

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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