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NVMYS010N04CLTWG - 40V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品概述

NVMYS010N04CLTWG 是采用 5x6mm LFPAK 封裝的汽車功率 MOSFET 晶體管，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適用于要求提高板級可靠性的汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 14A（Ta），38A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 10.3 毫歐 @ 20A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 20μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 7.3 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 570 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），28W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級 汽車級  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 LFPAK4（5x6）  

封裝/外殼 SOT-1023，4-LFPAK 

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