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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NVMYS010N04CLTWG

商品名稱:NVMYS010N04CLTWG

數(shù)據(jù)手冊:NVMYS010N04CLTWG.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:LFPAK4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVMYS010N04CLTWG
封裝
LFPAK4
描述
表面貼裝型 N 通道 40 V 14A(Ta),38A(Tc) 3.8W(Ta),28W(Tc) LFPAK4(5x6)

產(chǎn)品描述

NVMYS010N04CLTWG - 40V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管


產(chǎn)品概述

NVMYS010N04CLTWG 是采用 5x6mm LFPAK 封裝的汽車功率 MOSFET 晶體管,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適用于要求提高板級可靠性的汽車應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss) 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 14A(Ta),38A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 10.3 毫歐 @ 20A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 7.3 nC @ 10 V  

Vgs(最大值) ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 570 pF @ 25 V  

功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),28W(Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

等級 汽車級  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 LFPAK4(5x6)  

封裝/外殼 SOT-1023,4-LFPAK 

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