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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):NVTFS6H854NLWFTAG

商品名稱:NVTFS6H854NLWFTAG

數(shù)據(jù)手冊(cè):NVTFS6H854NLWFTAG.pdf

品牌:ON

年份:23+

封裝:WDFN-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NVTFS6H854NLWFTAG
封裝
WDFN-8
描述
表面貼裝型 N 通道 80 V 10A(Ta),41A(Tc) 3.2W(Ta),54W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

產(chǎn)品描述

NVTFS6H854NLWFTAG - 80V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管


產(chǎn)品描述

NVTFS6H854NLWFTAG 是采用 3x3mm 扁平引線封裝的汽車功率 MOSFET 晶體管,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET 和 PPAP 適用于汽車應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss) 80 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 10A(Ta),41A(Tc)  

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 13.4 毫歐 @ 10A,10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 2V @ 45μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V  

Vgs(最大值) ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 902 pF @ 40 V  

功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),54W(Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 8-WDFN(3.3x3.3)  

封裝/外殼 8-PowerWDFN 

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C3M0045065J1

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TO-263-7

2000

650V、45mΩ、47A、碳化硅功率 MOSFET 晶體管 TO-263-7

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ON

ON

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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