商品名稱:IPP70N10S3L12
數(shù)據(jù)手冊:IPP70N10S3L12.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPP70N10S3L12 75V至100V N通道汽車用MOSFET符合汽車應(yīng)用類AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),有多種封裝可供選擇,包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。這些MOSFET非常適合用于燃油噴射系統(tǒng)、車載無線充電應(yīng)用以及稱為Board Net的C02減排48V電源子系統(tǒng)。
特性
● N通道 - 增強(qiáng)模式
● 出色的RDS(on) 性能,可提高系統(tǒng)效率
● 較低的開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗,可提高散熱系統(tǒng)可靠性
● 質(zhì)量和可靠性基準(zhǔn)
● 寬電壓范圍:75V至100V
● MSL1,峰值回流溫度高達(dá)260°C
● 80V和100V MOSFET解決方案非常適合用于燃油噴射和車載無線充電應(yīng)用
● 外形緊湊,散熱性能優(yōu)異
● 可靠的綠色封裝,易于處理
● 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
● 功率MOSFET的前端和后端零件平均測試
● 提供支持AOI的封裝,用于自動光學(xué)檢測
● 封裝種類多樣,可實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性
● 綠色產(chǎn)品(符合RoHS指令)
● 100%經(jīng)雪崩測試
● 工作溫度范圍:-55°C至175°C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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