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IRFB3006PBF功率 MOSFET 采用成熟的硅工藝，為設(shè)計人員提供廣泛的器件組合，支持直流電機、逆變器、SMPS、照明、負載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用等各種應(yīng)用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝，具有行業(yè)標準基底面，便于設(shè)計。優(yōu)化的柵極驅(qū)動選項使設(shè)計人員能夠靈活選擇超電平、邏輯電平或普通電平驅(qū)動。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：195A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 170A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：300 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8970 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

應(yīng)用

●  高效同步整流

●  在 SMPS 中的應(yīng)用

●  不間斷電源

●  高速電源開關(guān)

●  硬開關(guān)和高頻電路

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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