商品名稱:TLS203B0EJV33
數(shù)據(jù)手冊(cè):TLS203B0EJV33.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:17500 件
TLS203B0EJV33是一款微功耗、低噪聲、低壓差的穩(wěn)壓器。該器件能夠?qū)崿F(xiàn) 300 mA 的輸出電流,270 mV 的壓差。專為電池供電系統(tǒng)設(shè)計(jì),30 μA 的低靜態(tài)電流使其成為理想的選擇。
特征
較寬的輸入電壓范圍:高達(dá) 20 V
300 mA 的電流能力
低靜態(tài)電流:30μA RMS
低壓差電壓:270 mV
低噪音降至 30μV
固定輸出電壓:3.3 V
啟用功能
內(nèi)部電路工作電壓降至 2.3 V
非常低的關(guān)斷電流:< 1μA
無需保護(hù)二極管
使用≥ 3.3 μF 的輸出電容時(shí)能保持穩(wěn)定
使用鋁制、鉭制或陶瓷輸出電容時(shí)能保持穩(wěn)定
反極性保護(hù)
過流和過溫保護(hù)
PG-DSO8 散熱焊盤封裝以及 PG-TSON10 散熱焊盤封裝
適合在汽車電子產(chǎn)品領(lǐng)域中用作后置調(diào)節(jié)器
環(huán)保產(chǎn)品(符合 RoHS)
AEC 認(rèn)證
應(yīng)用
信息娛樂(攝像頭、顯示器供應(yīng))
內(nèi)存、CPU、FPGA 芯片供應(yīng)
高電流后置調(diào)節(jié)器(與 DC/DC 結(jié)合使用)
駕駛員輔助系統(tǒng)(雷達(dá)、攝像頭)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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