商品名稱：FF800R12KE7
數(shù)據(jù)手冊：
FF800R12KE7.pdf
品牌：INFINEON
年份：21+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：100 件
FF800R12KE7 62mm C-Series 模塊 采用第七代溝槽柵/場終止 IGBT7 和第七代發(fā)射極控制二極管
特性
? 電氣特性
- VCES = 1200 V
- IC nom = 800 A / ICRM = 1600 A
- 溝槽柵 IGBT7
- VCEsat 帶正溫度系數(shù)
? 機械特性
- 標準封裝
- 4 kV 交流 1 分鐘 絕緣
- 高爬電距離和電氣間隙
- 高功率密度
- 絕緣的基板
- 封裝的 CTI > 400
可選應用
? 三電平應用
? 商業(yè)性農用車輛
? 大功率變流器
? 電機傳動
? 伺服驅動器
? 太陽能應用
? UPS 系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?；緟?shù)：產品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?；緟?shù)：產品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?；緟?shù)：產品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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