商品名稱:FF900R12ME7PB11BPSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):FF900R12ME7PB11BPSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:100 件
說(shuō)明:EconoDUAL? 3 1200 V、900 A 雙TRENCHSTOP? IGBT7具有發(fā)射極控制的 7 個(gè)二極管、NTC 和按FIT接觸技術(shù)。也可與預(yù)涂熱界面材料.
優(yōu)勢(shì)
相同外形尺寸下逆變器輸出電流更高
避免IGBT模塊并聯(lián)
簡(jiǎn)化逆變系統(tǒng),降低系統(tǒng)成本
組裝簡(jiǎn)便且最為可靠
高可靠性的內(nèi)部焊接
規(guī)格
IGBT 類型 溝槽型場(chǎng)截止
配置 半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 900 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) 1.8V @ 15V,900A
電流 - 集電極截止(最大值) 100 μA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies) 122 nF @ 25 V
輸入 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻 無(wú)
工作溫度 -40°C ~ 175°C
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應(yīng)商器件封裝 AG-ECONOD
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
建筑、商用和農(nóng)用車輛的混合動(dòng)力解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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