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UJ4SC075008L8S是一款 750V、8.6mΩ G4 SiC FET。它采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置。與 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常關斷 SiC FET器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅動器。因此，在取代硅 IGBT、硅 MOSFET 和硅 MOSFET 時，只需進行最少的重新設計。該器件具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復特性，是自動裝配的理想之選。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：106A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：11.4 毫歐 @ 70A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：75 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3340 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：600W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TOLL

封裝/外殼：8-PowerSFN

應用

● 牽引逆變器

● DC-DC轉換器

● 光伏逆變器

● Ev電池充電

● 開關模式電源

● 功率因數校正模塊

● 電機驅動器

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