商品名稱:S25FL064LABBHM020
數(shù)據(jù)手冊:S25FL064LABBHM020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-TBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S25FL064LABBHM020 NOR閃存系列采用65nm工藝光刻和浮柵技術(shù)。FL-L系列通過串行外設(shè)接口(SPI)連接到主機(jī)系統(tǒng)。FL-L系列支持傳統(tǒng)的SPI單位(單I/O或SIO)以及可選的2位(雙I/O或DIO)。此外,它還支持4位寬四I/O (QIO) 和四外設(shè)接口 (QPI) 命令。
特性
多I/O串行外設(shè)接口 (SPI)
時鐘極性和相位模式0和3
雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)選項
四外設(shè)接口(QPI)選項
擴(kuò)展尋址:24位或32位地址選項
與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡
與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡
讀取
命令:正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O
模式:突發(fā)回環(huán)、連續(xù)(XIP)、QPI
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP),用于配置信息
程序架構(gòu)
256字節(jié)頁編程緩沖器3.0V FL-L 閃存
程序暫停和恢復(fù)
擦除架構(gòu)
統(tǒng)一4KB扇區(qū)擦除
統(tǒng)一32KB半塊擦除
統(tǒng)一64KB塊擦除
芯片擦除
擦除暫停和恢復(fù)
100,000次程序擦除周期
數(shù)據(jù)保留20年
典型技術(shù)
65nm浮柵技術(shù)
安全特性
狀態(tài)和配置寄存器保護(hù)
四個256字節(jié)安全區(qū)域,均位于主閃存陣列外部
傳統(tǒng)塊保護(hù):塊范圍
單個和區(qū)域保護(hù)
單個塊鎖定:易失性單個扇區(qū)/塊
指針區(qū)域:非易失性扇區(qū)/塊范圍
電源鎖定、密碼或永久保護(hù)安全區(qū)域2和3以及指針區(qū)域
單電源電壓,帶CMOS I/O
2.7V至3.6V
溫度范圍:工業(yè)型(-40°C至+85°C)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR(SLC) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA(8x6)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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