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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NVMFS5C426NAFT1G

商品名稱:NVMFS5C426NAFT1G

數(shù)據(jù)手冊:NVMFS5C426NAFT1G.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:8-PowerTDFN

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVMFS5C426NAFT1G
封裝
8-PowerTDFN
描述
表面貼裝型 N 通道 40 V 41A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta),128W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

產(chǎn)品描述

NVMFS5C426NAFT1G N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝(結(jié)合屏蔽柵極技術(shù))生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關(guān)性能。采用各種小尺寸封裝選項,可提高設(shè)計靈活性。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):41A(Ta),235A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.3 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):65 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4300 pF @ 25 V

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),128W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級:汽車級

資質(zhì):AEC-Q101

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線


應(yīng)用

● ORing

● 電機(jī)驅(qū)動器

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 功率負(fù)載開關(guān)

● 電池管理

● 高端計算

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ON

8-WDFN

2000

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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