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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPTC063N15NM5

商品名稱:IPTC063N15NM5

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPTC063N15NM5.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-HDSOP-16-2

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPTC063N15NM5
封裝
PG-HDSOP-16-2
描述
N 溝道 150 V 16.2A(Ta),122A(Tc) 3.8W(Ta),214W(Tc) 表面貼裝

產(chǎn)品描述

IPTC063N15NM5 是 OptiMOS? 5 N 溝道 150 V 表面貼裝功率晶體管。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏極至源極電壓 (Vdss):150 V

電流 - 25°C 時(shí)的連續(xù)漏極 (Id):16.2A (Ta),122A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V

Rds On(最大)@ Id,Vgs:6.3mOhm @ 50A,10V

柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:4.6V @ 163μA

柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:63 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:4800 pF @ 75 V

功率耗散(最大值):3.8W (Ta),214W (Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)


特性

N 溝道、正常電平

極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)

卓越的熱阻

100% 通過雪崩測(cè)試

無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范

無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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