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IPW60R024CFD7是一種革命性的高電壓功率MOSFET技術，根據超級結（SJ）原理設計，由英飛凌技術公司首創(chuàng)。最新的 CoolMOS?CFD7 是 CoolMOS?CFD2 系列的成功延續(xù)，也是一個優(yōu)化的平臺。由于降低了柵極電荷（Qg）、一流的反向恢復電荷（Qrr）和改進的關斷行為，CoolMOS? CFD7在諧振拓撲中具有最高的效率。作為英飛凌快速機身產品組合的一部分，這一新產品系列融合了快速轉換技術的所有優(yōu)勢。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：77A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24毫歐 @ 42.4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.12mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：183 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7268 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：320W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3-41

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 適用于軟開關拓撲結構

● 優(yōu)化用于移相全橋（ZVS）、LLC 應用--服務器、電信、EVC 充電

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