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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):IPS70R1K4P7S

商品名稱:IPS70R1K4P7S

數(shù)據(jù)手冊:IPS70R1K4P7S.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO251-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPS70R1K4P7S
封裝
PG-TO251-3
描述
通孔 N 通道 700 V 4A(Tc) 22.7W(Tc) PG-TO251-3

產(chǎn)品描述

IPS70R1K4P7S的性價(jià)比屬同類最佳,簡單易用,能夠應(yīng)對各種應(yīng)用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發(fā)用于反激式低功耗SMPS應(yīng)用,包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設(shè)計(jì)用于小功率應(yīng)用,而且還用于大功率SMPS應(yīng)用,如太陽能逆變器、服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車充電站。P7 MOSFET經(jīng)過徹底優(yōu)化,用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):700 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.4 歐姆@ 700mA,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):4.7 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):158 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):22.7W(Tc)

工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO251-3

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA


應(yīng)用

● 用于飛返桌面,例如充電器、適配器、照明等

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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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