商品名稱:IPN80R900P7
數(shù)據(jù)手冊:IPN80R900P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-261-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPN80R900P7 樹立了 800V 超級結(jié)技術(shù)的新標桿,將同類最佳的性能與最先進的易用性相結(jié)合,是超級結(jié)技術(shù)創(chuàng)新的結(jié)晶。
特點
同類最佳的 FOM Rps(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
同類最佳 SOT-223 Ros(on)
同類最佳 3V V(Gs)h,最小 +0.5V V(s)th 變化
集成齊納二極管 ESD 保護
同類最佳的 CoolMOS TM 質(zhì)量和可靠性
全面優(yōu)化的產(chǎn)品組合
優(yōu)勢
同類最佳的性能
實現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計、節(jié)省 BOM 和降低裝配成本
易于驅(qū)動和并行
減少 ESD 相關(guān)故障,提高生產(chǎn)良率
減少生產(chǎn)問題和現(xiàn)場退貨
易于選擇合適的部件對設(shè)計進行微調(diào)
潛在應(yīng)用
推薦用于 LED 照明、低功耗充電器和適配器、智能電表、AUX 電源和工業(yè)電源的反激式拓撲結(jié)構(gòu)。
型號
品牌
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數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
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