商品名稱:IAUC100N08S5N031
數(shù)據(jù)手冊:IAUC100N08S5N031.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:20000 件
IAUC100N08S5N031具有非常低的導通電阻和80V VDS。該產(chǎn)品是3.5m?低導通電阻RDS(on)。這些器件采用TDSON-8FL封裝,工作溫度范圍為-55°C至175°C。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 3.1 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 95μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 76 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 5525 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 167W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級: 汽車級
資質: AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器:件封裝 PG-TDSON-8-34
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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