商品名稱:S27KL0643GABHV023
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
S27KL0643GABHV023 64MBit 3.0 V 工業(yè) (105°C) xSPI(八位)HYPERRAM Gen 2.0,24 FBGA 封裝
產品描述
S27KL0643GABHV023 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,采用 xSPI(八進制)接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當 xSPI 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。
產品特性
- 接口
- xSPI(八進制)接口
- 支持 1.8 V / 3.0 V 接口
- 性能、功耗和封裝
- 200 MHz 最大時鐘頻率
- DDR - 在時鐘的兩個邊沿傳輸數據
- 數據吞吐量高達 400 MBps(3,200 Mbps)
- 可配置的突發(fā)特性
- 混合選項--一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
- 可配置的輸出驅動強度
- 電源模式
- 混合睡眠模式
- 深度掉電
- 封裝:24 球 FBGA
- 工作溫度范圍
- 工業(yè) (I): -40°C至+85°C
- 工業(yè)增強型 (V): -40°C至+105°C
- 汽車,AEC-Q100 3 級:-40°C 至 +85°C
- 汽車,AEC-Q100 2 級:-40°C 至 +105°C
- 技術:38 納米 DRAM
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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