商品名稱:FF4MR20KM1HP
數(shù)據(jù)手冊:FF4MR20KM1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF4MR20KM1HP 62 毫米 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1,采用眾所周知的 62 毫米外殼設(shè)計,采用 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 溝道
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):2000V(2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):280A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):5.3 毫歐 @ 300A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 168mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):1170nC @ 18V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):36100pF @ 1.2kV
工作溫度:-40°C ~ 175°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:AG-62MMHB
應(yīng)用
● 儲能系統(tǒng)
● 電動汽車充電
● 光伏
● 牽引
● 不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IAUCN04S7N040D
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IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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